第一代半導體材料主要是硅（Si）、鍺（Ge），適用于數據的運算和存儲；

第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等化合物為代表，主要用于信息通信領域，包括半導體激光器、光纖通信、寬帶網等信息傳輸和存儲等；

第三代半導體材料以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等為代表，在電和光的轉化方面性能突出，在微波信號輸出方面的效率更高，可廣泛應用到照明、顯示、通訊領域。

與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料。